南开大学学报(自然科学版) ›› 2019 ›› Issue (3): 45-.

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基于SiGe工艺的Ka波段瓦特级功率放大器芯片设计

  

  • 出版日期:2019-06-20 发布日期:2019-07-04

  • Online:2019-06-20 Published:2019-07-04

摘要: 提出了一种基于0.18 μm SiGe BiCMOS工艺的Ka波段功率放大器(PA),在25-30 GHz的频段内输出功率均达到瓦特级(30 dBm以上).该PA由驱动级与功率级放大器级联组成,两级均使用堆叠结构.其中,最后一级功率级电路采用两路功率合成的方法,所使用的功率合成网络为匹配网络的一部分.每级堆叠结构均采用最优级间匹配技术(相邻堆叠晶体管间匹配),使堆叠结构中每层晶体管达到最优负载阻抗,进而使堆叠结构达到最大输出功率.使用Agilent ADS软件进行PA性能仿真,版图仿真结果显示:工作在25-30 GHz的功率放大器最大输出功率为30.9 dBm,功率附加效率为22.9%,大信号功率-1 dB带宽为5 GHz(25-30 GHz),1 dB压缩点输出功率为28.5 dBm,大信号增益为22.7 dB.

关键词: 堆叠结构功率放大器, 功率合成, 射频, SiGe BiCMOS