南开大学学报（自然科学版） ›› 2020 ›› Issue (1): 61-.
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摘要： 针对Ka频段大功率发射机的要求,设计了一款基于0.15 μm GaN工艺的5 W级输出的单片集成功率放大器.功率放大器工作频率为27-31 GHz,工作在AB类偏置条件下,采用3级单端共源结构,在末级使用功率合成结构.仿真结果表明,在20 V的电源电压下,功率放大器的小信号增益为25 dB,饱和输出功率为38dBm,功率附加效率为35%.
关键词: Ka频段, 功率放大器, GaN工艺, 功率合成
蔡昊成, 毛陆虹, 丛 佳. 一种工作于Ka频段的GaN单片集成功率放大器[J]. 南开大学学报（自然科学版）, 2020,(1): 61-.
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