摘要：
为了提高LDO的电压性能,设计了一款电压基准.基于带隙基准温度补偿的原理,通过增加运放、RC滤波器的方式改变了电路的结构,使得带隙基准的电源抑制比(PSRR)和温度系数得到了优化,并且改变了核心电路中MOS管与电阻的连接方式,让输出基准电压(VREF)可以在2-4 V之间调整.从仿真结果得知,当电源电压为2 V时,输出基准电压为1.19 V;温度在-40-85 ℃变化时,温度系数为1.991 8 ppm/℃;高频电源电压抑制比为-72 dB@10 MHz.
何恩沛, 吕 辉, 吴 松, 等.
高电源电压抑制比带隙基准电压源的设计
[J]. 南开大学学报（自然科学版）, 2023,(2): 31-.
