摘要： 基于TSMC 0.18 μm RFCMOS工艺,设计了一款应用于P波段和L波段(405 M-2.2 GHz)的全集成射频发射前端芯片.系统由单转双巴伦、混频器、可变增益放大器和驱动放大器组成,系统架构基于改进的直接上变频方案.基带和本振端口的巴伦采用了一种能够同时实现噪声和非线性消除及宽带阻抗匹配的结构,混频器使用了正交双平衡基尔伯特结构,可变增益放大器基于跨导可变的共源共栅结构进行设计,驱动放大器采用了具有高线性度和宽带匹配特性的推挽结构.后仿真结果表明,在3.3 V电源电压下,该发射前端直流电流为76 mA,版图面积为2.4 mm×2.0 mm;具有可控电压增益10-30 dB;输出1 dB压缩点大于10.8 dBm;中频大于
25 MHz时,噪声系数小于8 dB;基带和射频端口反射系数小于-20 dB,本振端口反射系数小于-15 dB.