摘要：
解明并调控磁性材料中反常霍尔效应的不同来源是实现自旋电子器件高集成度的关键。首次利用离子束溅射法在单晶MgO（100）基底上外延生长了Fe掺杂的单晶Ni（100）（Fe-Ni）薄膜，通过研究不同厚度的Fe-Ni薄膜在外加磁场下的电输运性质，分离和解明了斜散射、侧跳和本征3种机制对反常霍尔效应的贡献。结果表明，Fe的掺杂调控了反常霍尔效应中3种机制的贡献比例，相比于纯的单晶Ni薄膜，Fe的掺杂增大了斜散射机制的贡献，降低了本征机制的贡献且几乎不会影响侧跳机制的贡献。以上结果为实现磁性材料中反常霍尔效应的定向调控提供了参考。